东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心，为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。本企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队，拥有先进的技术及管理优势。本企业创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，研发、生产产品包括：（1）GaN半导体衬底材料，包括GaN衬底，GaN/ Al2O3复合衬底，图形化蓝宝石衬底（PSS）；（2）生产上述产品的设备，如激光剥离设备等。并对相应技术拥有自主知识产权，使本企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。东莞市中图半导体科技有限公司是广东光大企业集团与北京大学再度携手，建设的“第三代半导体衬底及装备产业化项目”企业，预投资6.06亿元，购买工业用地57.6亩，建筑面积67548.27平方米，打造国内最大的衬底生产基地。专注于生产高品质的半导体衬底材料、相关先进设备的高精密制造，竭诚为广大国内外用户提供最优质的服务，立足中国，放眼全球，竭力为中国乃至世界半导体行业带来一个新的发展契机。
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